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传小米第二代芯片澎湃S2已完工,基于台积电16nm三季度量产

传小米第二代芯片澎湃S2已完工,基于台积电16nm三季度量产

上个月底对小米来说可谓振奋人心,因为小米经历 28 个月的努力,终于完成了第一枚自主芯片“澎湃 S1”的发布,这也是继华为之后第二家有能力开发自主芯片的手机厂商。

不过,按照之前的计划,小米今年准备的是两款处理器,分别定位中端和高端,澎湃 S1 只是中端产品而已,很多机友想知道小米的高端芯片究竟准备得怎么样了。

如果按照之前的各方传闻,小米的高端芯片内部型号为 V970,而且还能够采用三星最新的 10 纳米 FinFET 工艺制程打造,只是能够量产出货的时间要稍晚一些,或许是年底。事实上,植树节期间又有新爆料显示,小米的高端芯片可能暂时没指望了,因为小米准备的是另一款定名澎湃 S2 的第二代芯片,而且也不要指望有 10 纳米工艺。

详细了解过澎湃 S1 的机友应该都知道,这枚新品最大的缺陷有两点。第一是工艺制程,今天大多数处理器都已经迈向 16 纳米或 14 纳米的时代了,但澎湃 S1 还只是老旧的 28 纳米 HPC 工艺制程。第二是调制解调器模块,仅支持 GSM/TDSCDMA/TDD LTE 制式的网络,而且最高仅支持 Cat 4 150Mbps 的速率, 技术上不支持双载波聚合,不支持 MIMO 或 64QAM。

那么所谓的第二代芯片澎湃 S2 解决这些问题了吗?只能说部分解决了。爆料称,澎湃 S2 工艺比 S1更先进了,采用了台积电的 16 纳米生产,八核心设计,不过网络支持上还是“五模”芯片,目前 S2 芯片样品已经完成开发了,预计第三季度量产,然后第四季度搭载澎湃 S2 的小米手机就能够正式上市销售了。

爆料者还表示,小米澎湃 S1 和 S2 能够完成,自然离不开联芯的技术支持,而且是基于联芯的 SDR1860 平台设计的芯片,S2 在设计上要比 S1 更完整一些,产能更加充足。话说回来,小米在工艺上没有跟随大流迈进 10 纳米,的确是明智之举,毕竟 10 纳米成本高和良品率控制不成熟,16 纳米无论对小米还是消费者都是能接受的选择。

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