三星斥资8.5万亿韩元扩充10nm/7nm产能，2018年7nm投入量产-平板新闻网

在近日上海举办的中国国际半导体技术大会(CSTIC)上，三星电子就展示了自己的半导体工艺路线图，并特别提到了7nm、5nm，明确表示会分别在2018年、2020年就投入量产。

三星表示，随着半导体工艺走向后10nm时代，厂商们会面临越来越严峻的挑战，尤其是如何保证足够高的良品率，为此三星特别提出了环绕栅极场效应晶体管(GAA FET)技术，将用在7nm、5nm工艺上。

另外，EUV极紫外光刻技术一旦取得突破并成熟，三星也会立即使用，但从目前的情况看，7nm上的希望很低。

三星指出，他们的7nm工艺将面向高性能芯片制造，包括GPU、AI、服务器、ADAS(先进驾驶辅助系统)等等。

同时据ETnews报道，三星电子计划投资8.5万亿韩元（约合511亿人民币）用于扩建10nm和7nm产线。其中，10nm位于京畿道里乡工厂的17号线。

据了解，三星对于10nm的一次性扩建投资达到2.5万亿韩元（约合150亿人民币），预计将为三星在Q2增加1.8万片的产能。根据目前的情况，因为没有抢下苹果A11处理器的订单，所以10nm扩展目前只应用于骁龙835处理器和自家的Exynos 8895。

此外，因为7nm工艺进度缓慢，所以三星投入6万亿韩元，标的物是年底的一座新工厂，装配EUV光刻设备。目前，三星已经订购了8台EUV光刻机，单台报价2500亿韩元（约合15亿人民币）。

编辑：芯智讯-林子