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三星斥资8.5万亿韩元扩充10nm/7nm产能,2018年7nm投入量产

三星斥资8.5万亿韩元扩充10nm/7nm产能,2018年7nm投入量产

在近日上海举办的中国国际半导体技术大会(CSTIC)上,三星电子就展示了自己的半导体工艺路线图,并特别提到了7nm、5nm,明确表示会分别在2018年、2020年就投入量产。

三星表示,随着半导体工艺走向后10nm时代,厂商们会面临越来越严峻的挑战,尤其是如何保证足够高的良品率,为此三星特别提出了环绕栅极场效应晶体管(GAA FET)技术,将用在7nm、5nm工艺上。

另外,EUV极紫外光刻技术一旦取得突破并成熟,三星也会立即使用,但从目前的情况看,7nm上的希望很低。

三星指出,他们的7nm工艺将面向高性能芯片制造,包括GPU、AI、服务器、ADAS(先进驾驶辅助系统)等等。

同时据ETnews报道,三星电子计划投资8.5万亿韩元(约合511亿人民币)用于扩建10nm和7nm产线。其中,10nm位于京畿道里乡工厂的17号线。

据了解,三星对于10nm的一次性扩建投资达到2.5万亿韩元(约合150亿人民币),预计将为三星在Q2增加1.8万片的产能。根据目前的情况,因为没有抢下苹果A11处理器的订单,所以10nm扩展目前只应用于骁龙835处理器和自家的Exynos 8895。

此外,因为7nm工艺进度缓慢,所以三星投入6万亿韩元,标的物是年底的一座新工厂,装配EUV光刻设备。目前,三星已经订购了8台EUV光刻机,单台报价2500亿韩元(约合15亿人民币)。

编辑:芯智讯-林子

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